院况简介
1949年,伴随着新中国的诞生,澳门赌场成立。
作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心,建院以来,澳门赌场时刻牢记使命,与科学共进,与祖国同行,以国家富强、人民幸福为己任,人才辈出,硕果累累,为我国科技进步、经济社会发展和国家安全做出了不可替代的重要贡献。 更多简介 +
院领导集体
创新单元
科技奖励
科技期刊
澳门赌场学部
澳门赌场院部
语音播报
另一方面,由于宽带隙半导体中缺陷电子捕获截面分布范围较宽,超浅能级和深能级界面态都可能影响器件的频率色散和电流崩塌。因此,在更宽能量范围内评估界面态变得非常有意义。恒定电容深能级瞬态傅里叶光谱技术可实现10~400K温度范围内的测试,为上述需求提供了有效的表征解决方案。但多层材料中界面态和离散能级缺陷的检测密度通常被耦合,使介质/III-N界面的缺陷分析更加复杂,需要利用界面态分布函数分离界面态和离散缺陷能级。虽然基于DIGS理论的U型模型适合连续能级的界面态分布,但在较宽的能量范围上仍然有一些限制。
该研究工作证明了低热预算工艺是实现高质量界面的有效手段之一,包括:LPCVD-SiNx生长温度从常规780℃降低到650℃,欧姆合金温度从850℃降低到780℃。工作难点在于降低温度窗口且保证高质量薄膜和欧姆接触。最终在LPCVD-SiNx和GaN之间实现2.5-5埃米原子级平整界面,界面态密度在ET=30 meV下约1.5×1013 cm-2eV-1,ET=1 eV下约4×1011~1.2×1012 cm-2eV-1水平。团队创新性提出了适用于较宽能量范围的基于物理参数的界面态U型分布函数,实现了多层材料中离散能级与界面态的有效分离。该成果以Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures为题发表在Applied Surface Science上。
该工作得到了国家自然科学基金重大仪器项目、重点项目、面上项目和澳门赌场前沿重点项目等资助。
扫一扫在手机打开当前页
© 1996 - 澳门赌场 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 澳门赌场 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 澳门赌场 版权所有
京ICP备05002857号-1
京公网安备110402500047号
网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话:86 10 68597114(总机)
86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn